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　　中华 人 民共 和 邦 邦度标 准GE 3 0 4 5一 8 9碳 化 硅化 学 分 析 方 法代餐GB 3045- 82Chemical analys且 a methods for silicon carb ide1 主皿实质与合用边界 本程序规矩了碳化硅磨料中的二氧化硅、 逛离硅、 逛离碳、 总碳、 碳化硅、 三氧化二铁的测定本事 本程序合用于碳化硅磨料及碳化硅含量大于等于 9 5%的结晶块的化学因素测定。 仲裁说明时务必按本程序规矩的本事举行2普通规矩2. 1 仲裁说明时， 统一试样平行份数不得少于3份。 说明结果的差值正在许诺边界时， 取其算术均匀值为最终说明结果。2. 2 说明用试剂除讲明出格规特地， 均应不低于说明纯。作基准者应采用基准试剂或高纯试剂。2. 3除已指明溶液外， 本事中所载之溶液， 均系水溶液。2. 4本事中未讲明浓度的液体试荆均指浓溶液， 如盐酸(相对密度 1 . 1 9) ,氨水(相对密度。 . 90) ;未讲明的固体试剂， 如苏打石灰， 均指原试剂.2. 5溶液的百分浓度系指 10 - L 溶液中含溶质的质料(妒,(1十1 ) , (1+ 2)......( V, + V, )等系指溶质体积与水体积之比2. 6除出格证明外， 配制试剂及说明用水， 均为蒸馏水或去离子水2. 了 所用说明夭秤、 祛码及容量器皿均须举行校正2.9除出格证明外， 扫数操作均正在玻璃器皿中举行。2. 9所载“灼烧至恒重” ， 系指通过持续两次灼烧并于干燥器中冷却至室温后， 称量之差不跨越0 . 2 mg .2.10所载“干过9 ， 系指将溶液用干滤纸、 干漏斗， 过滤于干的容器中， 干过滤均应弃去最初的d 液3 试样的制备3.， 块状磨料 用锤子正在钢板大将结晶块打碎至直径小于2 m m， 用四分法缩分到 5 0部通过46 号筛， 用磁力1 0- 15 N 的磁铁吸出打破时带入的铁质 然后放入试样袋中， 正在 1 05- 110℃的烘箱中烘干1 h, 取出放入干,M器内冷却备用。3 2粒状试祥 用四分法缩取试样5 0- 60 g 放入试样袋中， 正在105- 1 10℃的烘箱中烘干1 h.取出放入干燥器内冷却备用。 用作测定总碳的试样需打破至整个通过 1 00号筛月 二暇化硅的测定60 g， 再用钢研钵打破至全4. 1本事纲领 试样用氯化钠、 盐酸1 氢氟酸加热， 使二氧化硅溶化， 加铂酸钱使硅酸离子酿成硅钥杂众酸， 用中华百姓共和邦刻板电子工业部1989一 02门0 容许1990-01-01推行