外延工艺是悉数碳化硅家当中很是症结的一环，一起的器件根基上都是正在外延上完成，因此外延的质地对器件的职能是影响很是大，同时外延的质地又受到晶体和衬底加工的影响，因此外延枢纽正在碳化硅家当链中起到承先启后的症结效用。
近年来，中邦碳化硅外延片家当成长疾捷，已进入急迅生长期。遵照闭连数据显示，2023年中邦碳化硅外延片商场界限已抵达约16.24亿元群众币，估计到2026年希望上升至107亿元群众币。一代修造，一代工艺，一代产物，下逛商场的飞速伸长，接续的扩产需求也助推了碳化硅外延修造的商场伸长。遵照TrendForce集邦商量领悟，2023年中邦碳化硅外延修造商场界限约1.81亿美元，估计到2028年将攀升至4.24亿美元。
SiC外延是通过载气将反响气体输送到反响室内，使其正在肯定的温度和压力条款下理会并发作化学反响，变成中央化合物扩散到衬底外面，孕育外延层。可睹，反响室内的气流场和温度场对SiC外延孕育至闭紧急。于是，遵照碳化硅外延修造反响室的构造安排实行分类，目前有冷壁(笔直或水准)、热壁（笔直或水准）、行星式和Turbo Disk。水准和笔直冷壁CVD反响室构造目前已被落选，业界大局限厂商采用的是热壁或暖壁式CVD修造。
目前，碳化硅外延本领已与碳化硅外延修造高度统一。2021年及之前，外洋碳化硅外延修造霸占主导身分，2014年，TCS等本领由意大利LPE公司最早完成贸易化，正在2017年AIXTRON公司对修造实行了升级改制，将这个本领移植到了贸易的修造中。
目前，外洋碳化硅外延修造厉重企业征求意大利LPE（被荷兰ASMI 收购）、德邦爱思强AIXTRON、日本钮富来Nuflare（东芝旗下）、瑞典Epiluvac（被美邦维易科Veeco收购）等，2023年以前 LPE、AIXTRON、Nuflare占邦内商场份额80%以上。
LPE公司建设于1972年，总部位于意大利米兰。LPE公司正在中邦平素仍旧商场拥有率第一，仍旧渐渐成为领先天下外延本领的企业之一。其热壁水准式CVD修造（如PE106）以高孕育速度（50μm/h）和优异的平均性（厚度不屈均性≤2%，掺杂不屈均性≤5%）著称，正在邦内商场拥有率最高。
德邦Aixtron公司建设于1983年，是环球领先的半导体修造缔制商，埋头于化学气相浸积（CVD）修造的研发与坐褥，普及利用于化合物半导体（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）和有机半导体规模。其温壁行星式CVD修造（如G10-SiC）采用众片式孕育本领，单炉可同时孕育6-9片外延片，明显晋升了产能。截至目前，此类机型正在邦内用户端运用较少，正在众片一律性和缺陷操纵方面仍面对寻事，正在肯定水准上限制了其工程化利用。
日本Nuflare公司（Nuflare Technology, Inc.）建设于1984年，总部位于日本横滨，是东芝集团旗下的重点企业之一。Nuflare以其正在碳化硅外延修造规模的本领上风着名，加倍正在高速挽救和缺陷操纵方面处于邦际领先身分。准热壁立式CVD修造（如EPIREVOS系列）通过高速挽救和优化的流场安排，将外延片的缺陷密度操纵正在0.1cm-2以下， Nuflare工程师Yoshiaki Daigo曾称，片内厚度和掺杂浓度不屈均性区分抵达 1%和2.6%。
晶盛机电2023年推出6英寸双片式SiC外延修造，通过优化反响室安排，完成了上基层工艺气体的独立调控，温差操纵正在5℃以内，明显晋升了产能。其修造厚度不屈均性≤2%，掺杂不屈均性≤5%，已逼近邦际领先水准。
芯三代建设于2020年9月，公司埋头于碳化硅品级三代半导体重点配备的研发与坐褥。依据邦内领先的本领上风，成为目前邦内独一成熟的笔直式、6/8英寸兼容SiC外延修造供应商。模仿Nuflare的笔直气流本领，开荒了具有双腔构造的外延修造，进一步晋升了坐褥功效宁静均性。其修造孕育速度可达50μm/h，缺陷密度操纵正在0.5cm-2以下。
北方华创是中邦半导体修造邦产化的重点力气，通过连续本领更始与政策整合（如收购Akrion、芯源微），已变成遮盖刻蚀、薄膜浸积、冲洗、离子注入等全流程修造才力。其SiC外延修造MARS iCE115/120S，工艺调试简陋，保护便捷，疾捷霸占商场。个中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具备C2C才力，为SiC家当过渡期供给精良挑选。
总的来说，正在本领类型上，邦内厂商晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所和深圳纳设智能厉重模仿LPE的水准气流和单片外延办法，个中芯三代也研发Nuflare笔直气流和双腔外延办法。
正在商场界限上，外洋碳化硅外延修造产能告急，交付周期遍及长达1.5-2年，这为邦产碳化硅外延修造供给了机会。遵照TrendForce数据，邦外里延修造商场厉重由北方华创、晶盛机电、纳设智能、中电科48所等本土厂商霸占，这四家厂商商场份额合计约51%。邦内本土修造正在邦内商场加快浸透，局限厂商订单量已跨越邦际大厂LPE，并已发端构造8英寸外延修造。
8英寸碳化硅晶圆依据更小的周围损耗和更大的有用面积，联络量产界限效应，希望将本钱低浸60%以上。其衬底和外延质料的量产已近正在现时，症结正在于配套修造的推动速率。
2022年9月13日，AIXTRON内行业聚会上推出全新的G10-SiC 200mm外延编制。该修造供给9x150mm和 6x200 mm的活跃双晶圆尺寸修设，有助于SiC 行业从6英寸晶圆直径过渡到8英晶圆直径。另外，LPE和意法半导体也互助开荒了我方的8英寸碳化硅外延炉PE108。
邦内晶盛机电宣告音问称公司已得胜研发出具有邦际前辈水准的8英寸单片式碳化硅外延孕育修造。目前，正在子公司晶瑞的8英寸衬底基本上，已完成8英寸单片式碳化硅外延孕育修造的自立研发与调试，外延的厚度平均性1.5%以内、掺杂平均性4%以内，已抵达行业领先水准。
纳设智能自立研发的全自愿双腔8英寸碳化硅外延修造及众台8英寸单腔修造交付龙头客户。其采用独立双腔体架构，独创的反响腔室安排让客户运营本钱大大低浸，同时更始性统一众区独立进气操纵与智能温场编制，完成6英寸与8英寸晶圆的高兼容性坐褥。正在工艺职能上，外延层厚度平均性褂讪正在1%以内，掺杂平均性达2%以内，缺陷密度≤0.1cm2，抵达行业前辈水准。
正在家当扩张海潮下，碳化硅外延厂商纷纷大幅扩产，带头修造商场连续扩容。新玩家涌入饱吹修造构造优化，正在孕育速度、COO本钱、褂讪性、保护容易性及牢靠性等方面稳步晋升，叠加大尺寸修造的开荒推动与邦产代替加快，外延枢纽降本过程明显提速。
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