氧化铝（Al₂O₃）首要特质：导热率适中（≈30 W/m·K），绝缘性好，本钱相对低。榜样行使：低端至中端功率模块、LED散热基板氮化铝（AlN）：首要特质：高导热率（≈170 W/m·K），热膨胀系数亲近硅。榜样行使：高功率IGBT、激光二极管、汽车电子。氮化硅（Si₃N₄）‍首要特质：高强度、耐高温，导热率≈70 W/m·K。榜样行使：高电流、大功率功率器件。氧化铍（BeO）首要特质：极高导热率（≈200 W/m·K），但毒性较大。榜样行使：高端散热需求的射频/微波模块。碳化硅（SiC）首要特质：超高硬度、耐高温、导热率≈120 W/m·K。榜样行使：高温功率器件、航空航天。硼氮化物（BN）首要特质：绝缘性极好，导热率≈30 W/m·K。榜样行使：须要高绝缘的微波/射频基板。其他陶瓷（如SiC、Si₃N₄等）首要特质：兼具高导热与低热膨胀。榜样行使：异日高功率/高频封装倾向。构造陶瓷依赖其高绝缘、高热导、尺寸稳固和耐腐化等上风，已成为电子元器件中不行或缺的原料，掩盖从基板、封装、散热、绝缘到高频/高温专用部件的全链途需求，并正在新兴的 5G、AI、功率电子等规模依旧神速增加。

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