碳化硅外延晶片是孕育于衬底轮廓的单晶碳化硅薄膜，其掺杂类型、掺杂浓度及厚度可精准节制，以满意器件的计划需求。因为通过昇华法制备的单晶衬底无法杀青对掺杂浓度的精准节制，亦无法有用低落晶体缺陷，所以需求正在衬底上孕育高质料的外延层以创筑器件。所以，外延孕育本事正在碳化硅器件的分娩中至闭要紧，外延层的质料对器件机能有著肯定性影响。
遵循碳化硅外延晶片创筑商是否自行采购衬底资料，其生意形式可分为两品种型：
外延片出售：碳化硅外延晶片创筑商遵循客户订单需求进货衬底，举办产物创筑，并交付外延晶片产物。代价及付款结算遵循一共本钱釐定，蕴涵衬底及其他原资料。
外延片代工：客户供应衬底资料，而碳化硅外延晶片创筑商采购其他辅助资料。实现分娩并交付产物后，创筑商向客户收取外延晶片代工任职费。
环球碳化硅外延晶片墟市的出售额由2020年的4亿美元增至2024年的12亿美元，年复合增进率为34.7%。估计到2029年，墟市领域将到达58亿美元，2024年至2029年的年复合增进率为38.2%。电动汽车是碳化硅外延晶片的最大行使周围。估计到2029年，环球用于电动汽车的碳化硅外延晶片出售额将到达39亿美元，2024年至2029年的年复合增进率为37.9%。
于2024年至2029年，充电根底措施周围估计将以43.4%的年复合增进率增进（以碳化硅功率半导体器件的出售额计）。可再生能源及储能体例周围亦映现强劲的增进势头，预测期内的年复合增进率分离为33.7%及43.1%。新兴行业具有高增进潜力，环球碳化硅外延晶片的出售额估计将以54.5%的年复合增进率增进。
环球碳化硅外延晶片墟市发作明显变动，特别是6英吋外延晶片的出售额。于2020年至2024年，6英吋外延晶片的出售额由3亿美元增至8亿美元，年复合增进率为29.5%。估计到2029年，该出售额将进一步增至13亿美元，2024年至2029年的年复合增进率为9.4%。
相反，随著6英吋外延晶片的普及，4英吋外延晶片的出售额有所消浸，由2020年的49.6百万美元降至2024年的20.0百万美元，并估计到2029年进一步降至7.2百万美元。随著本事的成熟及接连的本钱低落，8英吋碳化硅外延晶片的渗出率将大幅扩大。估计到2029年，8英吋外延晶片的出售额将到达45亿美元，2024年至2029年的年复合增进率为71.9%。
于2020年至2024年，环球碳化硅外延晶片的销量由241.9千片增至989.9千片。受本事发展及作用提拔所激动，环球碳化硅外延晶片的销量到2029年估计将进一步增至5,959.4千片。6英吋碳化硅外延晶片的销量于2024年增至822.8千片，2020年至2024年的年复合增进率为44.6%。估计到2029年，6英吋碳化硅外延晶片的销量将到达2,160.5千片，2024年至2029年的年复合增进率为21.3%。另一方面，4英吋碳化硅外延晶片的销量于2024年降至29.9千片，并估计到2029年将缩减至14.0千片。
随著本事的进一步成熟，8英吋碳化硅外延晶片的贸易化正正在加快。8英吋碳化硅外延晶片的销量映现最为明显的增进，由2020年的仅0.9千片增至2024年的137.1千片，年复合增进率为254.6%。估计到2029年，销量将增至3,784.8千片，2024年至2029年的年复合增进率为94.2%。
因为原资料本钱消浸、本事成熟带来的本钱优化及产能提拔，环球碳化硅外延晶片的代价于2020年至2024年崭露消浸。随著碳化硅外延晶片产物的加快迭代以及下逛行使速速起色带来的需求上升，估计同尺寸碳化硅外延晶片的代价消浸幅度将渐渐缩小。于2024年，6英吋碳化硅外延晶片的代价约为每片黎民币7,300元，估计到2029年将降至每片黎民币4,400元，厉重来历是碳化硅衬底代价消浸。
下逛行使需求扩大。随著环球对可再生能源及电气化的激动，碳化硅功率半导体器件因其卓异的热机能、高击穿电压、开闭经过中的耗及提拔全体体例作用的本领，已成为杀青高效用体例的症结。电动汽车、可再生能源及储能体例等症结行业正渐渐采用碳化硅功率半导体器件，以满意对机能及能效的更高需求。别的，向家电、人工智能运算与数据核心、智能电网及eVTOL等新兴行使周围的扩展，正激动碳化硅功率半导体器件墟市的增进。于2024年至2029年，估计环球碳化硅功率半导体器件墟市将无间以39.9%的年复合增进率速捷增进。动作重点资料的碳化硅外延晶片的需求将直接因应墟市对高机能碳化硅功率半导体器件的需求扩大而扩大。
本事发展与创筑扩展。外延孕育本事的更始、缺陷淘汰及平均性升高，正正在提拔碳化硅外延晶片的质料及良率，使其更具本钱效益且牢靠。随著6英吋碳化硅外延晶片创筑工艺的成熟及分娩本钱的低落以及8英吋碳化硅外延晶片大领域分娩的打破及贸易化加快，碳化硅外延晶片墟市领域正阅历速捷增进。
政府计谋增援。各邦政府不停出台有利于碳化硅外延行业起色的利好计谋、功令及规矩。于2023年9月，欧盟颁佈了《欧洲芯片法案》，投资越过430亿欧元激动欧洲半导体财富起色。美邦也于2022年颁佈《芯片与科学法案》，通过税收优惠和财务补贴等体例升高研发和创筑本领。与此同时，中邦政府也推出了一系列利好计谋。
于2023年7月及8月，工业和消息化部发佈《创筑业牢靠性提拔执行睹地》及《电子消息创筑业2023 – 2024年稳增进行径计划》，夸大需求创造行业准则并升高蕴涵碳化硅功率半导体器件正在内的宽禁带功率半导体器件的牢靠性。于2023年2月，中华黎民共和邦邦务院发佈《质料强邦作战提要》，真切建议通过本事研发激动邦产资料的质料、安定性及合用性起色。动作宽禁带半导体的症结资料，碳化硅外延晶片受到邦度财富计谋的增援，并得回资金增援其正在症结周围的起色。
外延晶片创筑专业化水准升高。碳化硅外延晶片墟市正崭露越来越众特意笃志于外延晶片创筑的晶圆代工场。与古代硅财富（进程众年的整合仍旧造成真切的分工）形似，高度专业化分工的趋向是由下业对高品格客制化晶片的需求所驱动。专业代工场能够通过价格链配合供应优质产物，以满意下逛行使的种种需求。
8英吋碳化硅外延本事的起色加快。对付一样规格的芯片，较大的晶片可淘汰周围芯片的比例，并扩大每片晶片产出的裸芯片数目，大幅升高晶片愚弄率并低落芯片单元本钱。以32平方毫米巨细的芯片为例，将碳化硅外延晶片由6英吋扩展至8英吋，晶局部积可扩大1.8倍，周围芯片比例由14%降至7%，裸芯片数目扩大90%。因为成熟的分娩工艺及较低的本钱，6英吋碳化硅外延晶片将正在中恒久内需求无间增进，并佔据要紧名望。随著8英吋碳化硅外延晶片创筑工艺的成熟及质料的提拔，其行使将加快扩大。
向更宽的电压领域行使周围扩展。随著智能电网、轨道交通及大领域储能体例等周围对高功率、高电压碳化硅功率半导体器件需求的扩大，碳化硅外延晶片的行使场景正向中高压及超高压周围扩展。同时，少许低压行使（比方家电）已转而运用碳化硅以得回更高的作用。将来，碳化硅外延晶片将越来越笃志于满意该等器件的需求，激动其正在更宽的电压领域行使中的采用。
更始外延孕育的速捷起色。外延孕育本事的不停鼎新，确保咱们能紧跟种种下逛行使需求变动的程序，蕴涵更高的机能央浼和更众的产物类型。碳化硅超结器件为下一代高机能功率器件。沟槽回填外延本事是超结器件的症结创筑工艺。该本事涉及采用外延工艺的蚀刻沟槽及填充沟槽，将促使碳化硅超结器件的研发和财富化经过。别的，复合衬底也许是将来碳化硅功率器件的低本钱办理计划之一，所以斥地适合复合衬底的外延本事对付复合衬底的贸易化扩大具有要紧事理。该本事将低落碳化硅功率器件的本钱，并增加碳化硅功率器件的墟市行使。
单元分娩本钱消浸。受本事发展、领域效益及供应链优化所激动，单元分娩本钱不停消浸。本事发展，稀奇是缺陷节制本事，升高了良率及分娩作用。同时，供应链的成熟导致原资料及筑筑的代价消浸。维系领域经济效益，单元分娩本钱进一步消浸。
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