10月11日，正在北京市墟市监视料理局主办的“正在京天下标委会与北京市核心工业企业对接会成就发外暨第56届全邦圭表日核心运动”上，正在成就发外合节，第三代半导体工业工夫更始策略同盟（CASA）发外的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验本领》大众圭表，被评为2025年度高质地大众圭表。

　　该圭表更始性了得，显露了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管动态反偏试验本领正在半导体集成电道范畴的使用，提出了高频高压使用工况下，漏源电压高dV/dt牢靠性评议本领，添补了圭表空缺范畴，为工业供应了科学、合理的测试评估处理计划，有用支持第三代半导体工业的开展，具有明显的社会效益和经济效益。

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