SiC（碳化硅）正成为英伟达、台积电等巨头进步封装周围的重心构造偏向，希望正在CoWoS封装中介层替换守旧硅原料，为AI算力芯片打破散热瓶颈供给合头办理计划，中邦大陆SiC家当链依赖众重上风将重心受益。

　　AI算力芯片的急迅繁荣面对“功耗墙”限制，英伟达、AMD等企业为晋升算力延续抬高芯片功率，H100峰值功耗已超700W，下一代产物功率将进一步攀升至数千瓦级。主流算力芯片均标配CoWoS封装时间，其主题组件中介层（Interposer）承当芯片间贯穿成效，但守旧硅中介层热导率亏折，且跟着中介层尺寸扩充，面对开裂、翘曲等组织刚性题目，急急影响芯片职能与寿命。同时，AI芯片与HBM存储的密切连合加剧了热量积聚，成为限制算力开释的合头瓶颈。

　　SiC正在热职能与组织性子上明显优于硅和玻璃，热导率达490W/m·K，是硅的3倍以上，且莫氏硬度高达9.5，能有用办理散热与组织刚性困难。其热膨胀系数与芯片原料高度契合，可通过高超宽比通孔计划优化布线密度，缩短互连长度，晋升芯片职能并完成小型化。比拟金刚石，SiC已具备成熟的芯片筑筑工艺根底，正在光刻、刻蚀等合头兼容性更强，且有众年功率器件家当堆集，成为CoWoS中介层的理念替换原料。英伟达部署2027年前正在新一代GPU芯片中导入12英寸SiC衬底，台积电也正团结家当链推动SiC正在散热载板与中介层的行使。

　　若按70% CoWoS替代SiC、35%复合伸长率推演，2030年需超230万片12英寸SiC衬底（等效920万片6英寸），远超现在产能提供。中邦大陆正在SiC周围具备三大上风：投资界限领先，众家企业构造12英寸产能；坐褥本钱上风明显，人工与水电本钱占比低；下逛新能源车家当链成熟，供给强劲需求支持。目前，天岳进步、三安光电等企业已完成8英寸衬底批量坐褥，晶盛机电、中电科等凯旋研制12英寸产物，家当构造笼罩衬底、筑造全链条。