的重心原料，依据其优异的物理特色，正在新能源汽车、光伏储能和5G通讯等规模显现出开阔的行使前景。
2024年，邦内SiC衬底和外延商场通过了明显的代价震荡与产能扩张，特别6英寸SiC衬底代价已接近本钱线英寸身手打破加快推动。与此同时，商场逐鹿加剧，代价消浸动力泉源于下逛需求驱动和邦产供应商的内卷逐鹿。
本文从SiC外延和衬底商场的根本情形、代价消浸的驱动要素两个维度开展阐明，并探究另日繁荣趋向。
2025年SiC商场将进入洗牌阶段，具备身手、资金和家当链协同上风的企业希望脱颖而出，而代价趋于太平后，行业将迈向高质地繁荣的全新阶段。
衬底为外延成长供应根底，外延层则直接决计了器件职能，如耐压才华和缺陷率。邦内商场同样显示强劲，截至2024年3月，世界SiC外延片年产能已靠近200万片，筹备总产能高出700万片，家当范围化繁荣的迅猛势头。
2024年末，邦内6英寸SiC MOS衬底代价已降至2500-2800元邦民币，终年降幅高出40%，靠近本钱线。天岳前辈依据身手上风仍保持2800-3000元的邦内售价，出口代价则保留正在3000元以上。
与此同时，8英寸衬底研发和量产进度明显加疾，邦内企业如天岳前辈、晶盛机电等已达成身手打破，月产能估计正在2025年到达1万-1.5万片。
8英寸衬底的匀称性和良率仍与6英寸存正在差异，短期内难以齐全取代后者，6英寸衬底估计起码正在另日三年内保留逐鹿力。
◎外延身手方面，化学气相浸积（CVD）为主流工艺，邦内企业如瀚天天成、天域半导体已达成6英寸和8英寸外延片的量产。
重心参数如外延层厚度和掺杂浓度直接影响器件职能，比方1200V器件必要10-15μm外延层，而高压器件（15000V）则需145μm以上。
缺陷驾御仍是身手瓶颈，微管、基面位错（BPD）等题目对器件牢靠性组成挑衅。
摆设层面，晶盛机电、北方华创等邦产厂商正加快取代邦际巨头Aixtron和LPE的垄断位子，促进摆设邦产化率逐渐晋升。
比拟海外玩家（如Wolfspeed、II-VI）正在8英寸量产上的延迟，邦内企业显现出更疾的推动速率。8英寸身手仍面对匀称性亏折和高本钱题目，短期内难以达成大范围贸易化行使。
●从行使端看，新能源汽车是SiC商场伸长的重心驱动力。◎海外龙头的6并碳化硅模块代价已降至2000元以内，◎邦产6并模块代价更低至1500元摆布，SiC器件正在终端商场的渗出加快。邦内SiC产能扩张速率迅猛，地方政府和资金商场的救援进一步助推了家当构造。产能急迅扩张也带来了商场内卷。2025年SiC衬底商场将进入裁减阶段，中小型企业因缺乏资金和身手上风面对出局危害，而具备家当链协同才华的龙头企业将盘踞更大商场份额。
SiC衬底和模块代价消浸的首要动力泉源于下逛商场的强劲需求。新能源汽车动作SiC器件最大的行使规模，对本钱敏锐度极高。跟着电动车渗出率晋升，车企对SiC模块的采购范围缓慢伸张，促进供应商通过范围效应消浸本钱。
头部车企已与外延厂商作战深度合营，批量采购进一步压低了单价。海外龙头6并SiC模块代价跌破2000元，邦产模块低至1500元，恰是下逛需求倒逼的结果。
光伏逆变器和储能体例对SiC器件的需求也正在急迅伸长。SiC器件的高恶果和耐高温特色使其正在新能源规模具有不行取代的上风。跟着“双碳”战略的推动，光伏装机量赓续攀升，带头SiC衬底和外延片的出货量填补，摊薄了固定本钱，进而拉低了代价。
邦内SiC衬底商场的激烈逐鹿是代价消浸的另一合头要素，邦产供应商大幅扩产，商场供应量激增，导致代价战愈演愈烈。
以6英寸SiC衬底为例，终年代价降幅超40%，从岁首的4000-4500元跌至2500-2800元，已靠近本钱线，中小厂商为抢占商场份额，不吝以低价政策挤压敌手糊口空间。这种内卷逐鹿固然短期内加剧了行业洗牌，却也加快了SiC身手的普及和本钱消浸。
正在外延商场，邦产化摆设和工艺的提高进一步促进了代价下行，跟着8英寸摆设逐渐验证得胜，另日外延片的单价希望从2020年的128元/平方厘米降至2045年的71元/平方厘米，本钱消浸趋向将延续。
身手提高是SiC代价消浸的内正在驱动力。跟着衬底成长工艺（如物理气相传输法PVT）和外延CVD身手的优化，晶体缺陷率逐渐消浸，良率明显晋升。
比方，6英寸衬底的微管密度已从早期的10个/cm降至1个/cm以下，出产恶果和产物德地双双升高。大尺寸化趋向进一步消浸了单元本钱，8英寸衬底外面上可将器件创修本钱消浸60%，纵然目前良率仍需优化。
范围效应也正在代价消浸中阐明了紧急效力。邦内SiC企业通过扩产和家当链整合摊薄了研发与摆设进入本钱。笔直整合上风，从衬底到模块达成全链条构造，有用消浸了出产本钱，形式正在比亚迪等终端厂商中取得复制，进一步促进了SiC模块代价的消浸。
2025年，SiC衬底代价消浸幅度估计放缓，降幅正在10-20%之间，6英寸衬底希望守住2000元以上的代价底线英寸衬底代价能够从目前的8000-10000元急迅降至5000元以内，但受限于良率和身手成熟度，短期内难以成为商场主流。
模块代价方面，跟着邦产化率晋升和逐鹿加剧，6并SiC模块代价希望进一步下探至1200-1500元区间，为下逛行使供应更大本钱上风。
SiC商场正在身手打破、产能扩张和代价消浸的众重驱动下，显现出昌隆繁荣的态势，短期内商场内卷和代价战加剧了行业逐鹿，但这也是SiC家当迈向成熟的必经之途。
裁减阶段的到来，具备身手上风、资金势力和家当链协同才华的企业将盘踞主导位子，代价趋于太平后，行业将进入高质地繁荣阶段。
